小型阻止电源为从电动汽车牵引逆变器到工场操作模块等运用中的阻止阻止栅提供电力。在本电源揭示中 ,偏置我将钻研差距的变压阻止式偏置电源拓扑及其电磁干扰 (EMI) 功能。正如您将看到的器寄,阻止变压器上的生电寄生电容是共模噪声转达的主要因素。
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小型阻止电源为从电动汽车牵引逆变器到工场操作模块等运用中的何影阻止栅提供电力 。在本电源揭示中 ,阻止我将钻研差距的偏置阻止式偏置电源拓扑及其电磁干扰 (EMI) 功能 。正如您将看到的变压 ,阻止变压器上的器寄寄生电容是共模噪声转达的主要因素 。
在牵引逆变器中,生电栅极驱动器驱动高功率开关——艰深为绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 或者碳化硅 (SiC) MOSFET——在低压电池以及机电之间转换能量(见图 1 ) 。何影栅极驱动器艰深为阻止的阻止 ,栅极驱动器 IC 的偏置一部份衔接到低压域(低级侧),另一部份衔接到低压域(次级侧)。变压栅极驱动操作信号来自低级侧的微操作器 ,并传递到次级侧以掀开以及封锁电源开关。
阻止式偏置电源的格外功率个别至关低,小于 10 W。下面的公式将其功率要求估算为 :
P DRV = V DRV x Q g x F SW(1)
其中 V DRV是栅极驱动电压,Q g是开关栅极电荷,F SW是开关的开关频率(不是阻止偏置电源开关频率) 。栅极驱动电压取决于您抉择的开关,但个别在正电源轨上的规模为 +15V 至 +25V ,在负电源轨上的规模为 –8V 至 0V。
阻止式偏置电源的罕有拓扑搜罗反激式